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HT100N06
- N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A
- 60V
- PDFN5x6
- BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC014N06NS NTMFS5C670NLT1G
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HT52N650AKZ
- 常温下耐压高达650V负载电流可达52A的碳化硅MOSFET
- TO247-4
- IMZA65R030 NTH4L045N NTBG060N065 IMW65R039
- 资料索取
HT39N650ADZ
- 常温下耐压高达650V负载电流可达39A的碳化硅MOSFET
- TO247-3
- IMW65R107M SCT3120A IMW65R057M
- 资料索取
HT36N1200AKZ
- 常温下耐压高达1200V负载电流可达36A的碳化硅MOSFET
- TO247-4
- NVH4L070N120 IMZ120R090 NVH4L070N120 IMZ120R060 NTH4L070N120
- 资料索取
HT36N1200ADZ
- 常温下耐压高达1200V负载电流可达36A的碳化硅MOSFET
- TO247-3
- IMW120R090 NTHL070N120 IMW120R060
- 资料索取
HT63N1200AKZ
- 常温下耐压高达1200V负载电流可达63A的碳化硅MOSFET
- TO247-4
- IMZ120R045 NTH4L040N120 IMZA120R040
- 资料索取
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