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HT65N07E
- 增强型650V平台7A的E-MODE氮化镓器件
- 650V
- PDFN5x6,PDFN8x8,TO252
- GS-065-004-1-L-TR
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HT65N23E
- 增强型650V平台23A的E-MODE氮化镓器件
- 650V
- PDFN5x6,PDFN8x8,TO252
- IGLD65R140D2 IGLR65R140D2 GS-065-011-2-L-TR GS-065-011-1-L-TR GS-065-008-6-L-TR
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HT65N16E
- 增强型650V平台16A的E-MODE氮化镓器件
- 650V
- PDFN5x6,PDFN8x8,TO252
- IGLR65R200D2 GS-065-008-1-L-TR INN700DA190B INN700DA240B IGLR65R200D2 GS66502B-MR GS-065-008-1-L-MR INN700DA190C INN700DA240C
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HT50N100
- N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：50A
- 100
- PDFN5x6
- CSD19534Q5A NCEP01ND35AG AON6220 BSC0805LS BSC160N10NS3G
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HT120N09
- N沟道 漏源电压(Vdss)：90V 连续漏极电流(Id)：120A
- 90V
- TO220,TO263,DFN5x6
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HT100N06
- N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：100A
- 60V
- PDFN5x6
- BSC028N06NS BSC028N06NSATMA1 BSC014N06NS NTMFS5C670NLT1G
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HT8216ARZ
- 负载能力高达650V和150mA的固态继电器
- 650V
- SOP4-2.54mm
- KAQY214 AQY214 BCY214 AQY216 KAQY216
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HT8214ARZ
- 负载能力高达400V和100mA的固态继电器
- 400V
- SOP4-2.54mm
- TLP171 TLP174 TLP176 G3VM-401 CPC1025 AB30S
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HT52N650AKZ
- 常温下耐压高达650V负载电流可达52A的碳化硅MOSFET
- TO247-4
- IMZA65R030 NTH4L045N NTBG060N065 IMW65R039
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总共：36条 页数：
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